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    2018-07-13 17:48:33

    1. 栅源击穿电压BVGS-在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开端剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。


    2.开启电压VT-开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压;-规范的N沟道MOS管,VT约为3~6V;-经过工艺上的改良,能够使MOS管的VT值降到2~3V。

    3. 漏源击穿电压BVDS-在VGS=0(加强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面:
    (1)漏极左近耗尽层的雪崩击穿
    (2)漏源极间的穿通击穿-有些MOS管中,其沟道长度较短,不时增加VDS会使漏区的耗尽层不时扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直承受耗尽层电场的吸收,抵达漏区,产生大的ID。


    4. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流过栅极的栅流表示-MOS管的RGS能够很容易地超越1010Ω。

    5. 低频跨导gm-在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和惹起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导-gm反映了栅源电压对漏极电流的控制才干-是表征MOS管放大才干的一个重要参数-普通在非常之几至几mA/V的范围内。


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